Süsinikuallikana toimiv metaan (CH4) laguneb süsinikuaatomiteks ja gaasiliseks vesinikuks kõrgel temperatuuril (ligikaudu 800-1000 kraadi) ja madala rõhu tingimustes, kasutades plasmat (mikrolaine- või alalisvoolulahendus). Seejärel sadestatakse süsinikuaatomid kiht-kihilt teemantsubstraadile (nt teemantseemnekristallile või konkreetsele alusele), kasvatades teemantkristalli.
1. Gaasisegu: metaan segatakse vesinikuga (H₂), tavaliselt lisatakse kasvu optimeerimiseks väike kogus hapnikku või süsinikdioksiidi.
2. Lagunemine ja sadestumine: plasma dissotsieerib metaani, tekitades aktiivsöe -põhiseid liike, mis moodustavad substraadi pinnale teemantstruktuuri.
3. Kvaliteedikontroll: metaani kontsentratsiooni, temperatuuri ja rõhu reguleerimisega saab kontrollida teemandi puhtust, värvi ja kasvukiirust.
Kuum tags: metaanteemandid, Hiina metaanteemantide tootjad, tarnijad, tehas
